谷銀觀點

谷銀基金行業月度簡報 | 半導體公司業績景氣,行業持續向好

2018-09-11 投資部 白雙 閱讀

導語:全球半導體超級景氣度周期持續,集成電路作為戰略性最高行業,繼續加大力度,我國建立完整的、具有獨立自主核心技術的半導體工業體系,需要不斷推進存儲器芯片戰略進程,推動制造、設備、材料等突破。

TMT/AI行業板塊

政策、法規、知識

半導體關鍵核心技術:同步電子輻射極紫外光刻光源

半導體集成電路制造總體分為前端晶圓制造和后端封裝測試兩大部分,其中晶圓制造是代表國家競爭力的技術和資本密集型產業,其工藝和設備是我國重點發展的、落后并受制于西方的主要戰略領域之一。目前國際半導體集成電路量產前沿為14/16nm 線寬技術,新一代7/5nm 線寬技術預計分別于2018年初和2020年進入量產。實現這些技術進步的關鍵是光刻技術,而極紫外光刻是其中唯一適合量產的技術。目前的極紫外光刻技術采用激光等離子體光源,其功率已經達到理論最大值,無法滿足下一代晶圓量產的要求,需要顛覆式技術取代。本技術是目前唯一已知的此種顛覆式技術,是下一代半導體晶圓制造的重大關鍵核心技術。

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極紫外光刻

光刻是通過光學系統將掩模版上的圖形轉移至涂滿光膠的硅片上,從而在后者表面制成器件、電路和系統的過程。隨著由線寬定義的器件尺寸循著名的摩爾定律不斷縮小,用于光刻的光源波長必須隨之減小。目前該波長已進入10-15nm的極紫外波段,采用大功率二氧化碳脈動激光激發光源內錫微珠產生等離子體,發射13.5nm波長的極紫外輻射完成光刻制程(如圖1)。此技術產生光子散粒噪聲,導致光源光學系統污染和制成器件邊緣粗糙,而二氧化碳激光的有限功率也將激光等離子體光源的功率限制在250瓦以內,無法滿足產量成本要求,是極紫外光刻乃至整個下一代晶圓制造的關鍵技術難題。本項目采用縮微同步輻射光源替代激光等離子體光源應用于極紫外光刻,將光源功率由后者的125-250瓦提高到1000-10000瓦,有效克服光子散粒噪聲、改進器件邊緣粗燥度,將光源集電光學系統的壽命由幾個月無限延長,將設備正常使用率由65-70%提高至95%以上,將占用車間地表場地面積由4x4米(如圖2)縮小至忽略不計,并無需耗材,將每臺設備年保養成本由800萬美元將低至300 萬美元以下,使得7nm及以下線寬的半導體晶圓大規模商業量產成為可能,是目前已知的7nm及以下線寬商業量產的唯一實現途徑。

熱點、趨勢、動態

半導體巨頭公司呈現高成長性,反應出全球半導體超級景氣周期持續

近期海外巨頭公司最新財報陸續發布,我們對各家財報進行前瞻深度分析,對當前已發布巨頭財報業績及展望情況進行匯總如下:

圖表3:海外半導體巨頭半年報情況及展望指引匯總

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從細分領域來看,存儲>模擬>邏輯(HPC)>設備>代工,材料中硅片主流廠商Siltronic仍呈現高成長

存儲板塊仍然是成長性最為突出的板塊。已披露的四家海力士、美光、旺宏、華亞科增速均超過70%,此外有利基型存儲業務的Cypress在18H1也實現扭虧、18Q2同比288%的大幅增長!在供給難以開出、服務器/手機/筆記本/4K/AI需求帶動下DRAM今年仍將保持供需偏緊狀態,海力士、華亞科DRAM ASP環比同比繼續提升。而NAND Flash隨著64/72層3D NAND供給增加、消費級應用需求疲軟的情況下價格預計持續修正,但從出貨量上來看在數據中心、爆發式數據增長、SSD滲透率提升帶動下NAND Flash在未來數年仍將呈現高速增長。

除存儲外,以德州儀器、MPS、意法半導體為代表的模擬族群呈現穩定高成長性,從廠商口徑來看供給層面8寸代工漲價傳導,汽車、物聯網以及工業控制帶動的MCU、傳感器、電源芯片、功率器件需求量提升是最大驅動!我們此前強調8寸代工受到設備、硅片等因素鉗制難以大幅擴張新產能,指紋、CIS、電源IC、MOSFET相互擠占產能;而需求端來看,汽車、工控、新能源、電源管理(尤其虛擬貨幣礦機電源)、LED照明、手機雙攝、無線充電/快充等對MOSFET、二極管、被動元器件用量需求大幅提升,本質來看就是硅含量的持續提升,供給-需求形成完美閉環。

在邏輯、設備、代工以及材料領域,我們可以看到Intel受益數據中心、IoT、存儲業務增長以及稅改增速超過60%,AMD受益Radeon強勢增長、Ryzen持續成長Q2同比增速超過800%大超預期,CPU/GPU領域有望迎來市占率提升;代工領域聯電受益8寸產能滿載、ASP提升業績增速超60%;硅片廠商Siltronic受益硅片剪刀差,Q2全線超預期,同時上調全年展望。

上市公司動態

【兆易創新】:二季度從產業來看NOR、NAND單月出貨量環比、同比均顯著增長,從代工廠華力微、中芯國際來看中大容量占比顯著提升,邁出產品結構升級第一步;同時大客戶導入節奏繼續加快;SLC NAND市場極度緊缺,北京廠SLC NAND預計近期開始大批量投片。同時合肥DRAM戰略項目6月份已經開始正式流片,整體來看進展有序,預計年底實現10%良率突破,并在明年陸續進行良率和產能的爬坡。

【三安光電】:目前LED芯片產業呈現產能向大陸轉移、行業集中度提升兩大趨勢,三安通過擴產提升份額+創新技術研發,技術進步加規模優勢帶動成本下降,從而抵消短期價格波動對毛利率影響。預計公司今明兩年通過持續擴產,占據全球絕對領先地位,行業格局日趨穩定龍頭強者恒強!從普通照明、背光源、裝飾到汽車照明、mini LED/microLED,公司通過產品技術研發持續提升產品附加值。此外從LED到化合物半導體,有望進一步打開成長空間。

【北方華創】:近期公司產品在多晶硅刻蝕、PVD、單片退火、立體氧化爐及清洗設備已經達到28nm制程要求,17年累計流片量大幅提升!部分細分領域14nm已經開始驗證。長期公司產品布局齊全,重要節點加速突破,與客戶持續建立戰略關系,成長為半導體設備巨頭的潛質漸顯。隨著國內中芯國際、長江存儲、合肥長鑫、華虹半導體等項目的落地、擴產,公司硅刻蝕、PVD、清洗、氧化爐等設備陸續取得訂單,未來3年有望繼續迎來放量;

【中芯國際】(港股):中芯國際是國內先進制程代工絕對龍頭,從產業了解目前公司14nm研發進展超預期,關注后續客戶demo產品導入研發進展,有望提起實現風險試生產及規模化量產。同時今年28nm產品結構預計進行改善,進一步提升high k產品占比;

【華虹半導體】(港股):我們看好8寸景氣度持續性,公司硅片與sumco、信越鎖量鎖價,受益下游mosfet、sj、igbt、pmic等持續提升,公司有望通過產品結構改善、有序調價獲益!華虹8寸廠的發展空間主要在于FAB 3,目前有1萬多片擴產空間,2-3年三個8寸廠目標11-12億美金營收;無錫廠預計明年年中建成,下半年move in,年底形成1萬片產能,后續三年持續產能爬坡;

【士蘭微】:士蘭微深耕功率半導體IDM,有望率先實現白電國產替代。士蘭作為國內少有的IDM模式廠商,長期積累實現高壓集成電路、IGBT功率器件、IPM智能功率模塊突破,短期有望實現白電空冰洗功率模塊國產替代,長期來看工控、光伏逆變、汽車功率模塊三大方向有望打開更大成長空間。電動化趨勢下,電機逆變器、充電模塊帶來功率器件用量數倍增長。通過持續重磅加碼,未來數年公司有望迎來產能持續釋放,進入快速成長期。公司現有5寸、6寸、8寸廠各一座,其中5/6寸線產能穩定,8寸線正處于產能爬坡階段,8寸代工景氣大趨勢下有望迅速迎來利用率提升、客戶導入和產品結構提升;

【精測電子】:業績持續高增速,面板到半導體布局步步為營。面板檢測方面公司主要服務京東方的Module段和Cell 段,從公司Q2公告來看陸續中標京東方/華星光電宏觀缺陷檢查機、手動模組測試機、模組檢查機等中前道市場逐步打開成長空間。半導體檢測方面公司6月19日設立上海子公司是繼攜手IT&T之后再次加碼半導體檢測之舉,此前合資公司主要定位存儲器等檢測,此次上海子公司將通過構建研發團隊及外延等加快布局,從面板到半導體檢測有望復制新的精測。


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